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下一代存儲(chǔ)器將加快進(jìn)入市場(chǎng)

更新時(shí)間:2019-08-13      瀏覽次數(shù):984

人工智能與大數(shù)據(jù)對(duì)芯片的處理能力提出了越來越嚴(yán)苛的要求,芯片的運(yùn)算能力和存儲(chǔ)能力正在成為瓶頸,這也是各家半導(dǎo)體公司競(jìng)相開發(fā)新的硬件平臺(tái)、計(jì)算架構(gòu)與設(shè)計(jì)路線,以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存儲(chǔ)器技術(shù)興起,便是芯片與系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員致力研發(fā)的重要成果之一。

這些新型存儲(chǔ)器或者具有更快的存取速度,或者具有更高的耐用性,或者具有更小的裸片尺寸、成本和功耗,甚至有可能為未來存儲(chǔ)器內(nèi)計(jì)算 (In-Memory Compute)的開發(fā)提供支撐。但是由于制造環(huán)節(jié)存在瓶頸,目前下一代存儲(chǔ)器的生產(chǎn)良率并不高,難以實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)成為市場(chǎng)主流,量少價(jià)高,以特殊應(yīng)用為主。不過,近日記者參加了應(yīng)用材料公司舉辦的媒體活動(dòng)。其中介紹了應(yīng)用材料公司推出的兩款用于下一代存儲(chǔ)器MRAM、ReRAM和PCRAM的沉積設(shè)備,對(duì)于提升下一代存儲(chǔ)器的規(guī)模量產(chǎn)能力有著極大的幫助。相信隨著更多相關(guān)設(shè)備的開發(fā),未來3-5年當(dāng)中,下一代存儲(chǔ)器有望加快進(jìn)入市場(chǎng)。

材料工程助力下一代存儲(chǔ)器量產(chǎn)進(jìn)程

應(yīng)用材料公司是大的半導(dǎo)體設(shè)備公司,一直推動(dòng)基于材料工程技術(shù)的創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)變革。材料工程學(xué)是半導(dǎo)體技術(shù)的基礎(chǔ)之一,新型材料的科學(xué)運(yùn)用往往決定著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步。應(yīng)用材料公司正是積極投入這一領(lǐng)域開發(fā)的公司之一。

應(yīng)用材料中國(guó)公司技術(shù)官趙甘鳴表示,隨著摩爾定律的放緩,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨全新的技術(shù)變革,需要層的材料工程技術(shù)的發(fā)展,提供強(qiáng)有力的支撐。為此,過去10年中應(yīng)用材料公司每年平均用于研發(fā)的投入都超過10億美元,2018財(cái)年的研發(fā)投入更達(dá)到了20億美元,就是希望推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的革新。

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